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元件参数资料
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参数目录40338
> IXTP10N60P MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
型号:
IXTP10N60P
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTP10N60P PDF
产品目录绘图
TO-220, TO-251
标准包装
50
系列
Polar™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
740 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1610pF @ 25V
功率 - 最大
200W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220
包装
管件
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